MTEJ0P20L3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTEJ0P20L3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTEJ0P20L3

MTEJ0P20L3 Datasheet (PDF)

..1. Size:333K cystek
mtej0p20l3.pdf

Spec. No. : C897L3 Issued Date : 2013.03.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTEJ0P20L3 BVDSS -200VID -1.2A0.95 (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-1A 1.0 (typ) RDSON@VGS=-6V, ID=-0.5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free package Equi

6.1. Size:301K cystek
mtej0p20j3.pdf

Spec. No. : C897J3 Issued Date : 2013.03.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -200VMTEJ0P20J3 ID -4A1.1 @ VGS=-10V, ID=-3A RDSON(Typ) 1.1@ VGS=-6V, ID=-2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circui

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Liste

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