Справочник MOSFET. MTEJ0P20L3

 

MTEJ0P20L3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTEJ0P20L3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 14 nC
   Время нарастания (tr): 4 ns
   Выходная емкость (Cd): 37 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.95 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223

 Аналог (замена) для MTEJ0P20L3

 

 

MTEJ0P20L3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  cystek
 mtej0p20l3.pdf

MTEJ0P20L3 MTEJ0P20L3

Spec. No. : C897L3 Issued Date : 2013.03.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTEJ0P20L3 BVDSS -200VID -1.2A0.95 (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-1A 1.0 (typ) RDSON@VGS=-6V, ID=-0.5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free package Equi

 6.1. Size:301K  cystek
 mtej0p20j3.pdf

MTEJ0P20L3 MTEJ0P20L3

Spec. No. : C897J3 Issued Date : 2013.03.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.30 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -200VMTEJ0P20J3 ID -4A1.1 @ VGS=-10V, ID=-3A RDSON(Typ) 1.1@ VGS=-6V, ID=-2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circui

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top