MTEJ0P20L3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTEJ0P20L3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.95 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для MTEJ0P20L3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTEJ0P20L3 даташит

 ..1. Size:333K  cystek
 mtej0p20l3.pdf pdf_icon

MTEJ0P20L3

Spec. No. C897L3 Issued Date 2013.03.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTEJ0P20L3 BVDSS -200V ID -1.2A 0.95 (typ) RDSON@VGS=-10V, ID=-1A 1.0 (typ) RDSON@VGS=-6V, ID=-0.5A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & halogen-free package Equi

 6.1. Size:301K  cystek
 mtej0p20j3.pdf pdf_icon

MTEJ0P20L3

Spec. No. C897J3 Issued Date 2013.03.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.30 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -200V MTEJ0P20J3 ID -4A 1.1 @ VGS=-10V, ID=-3A RDSON(Typ) 1.1 @ VGS=-6V, ID=-2A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivalent Circui

Другие IGBT... MTEE2N20FP, MTEE2N20J3, MTEF1P15L3, MTEF1P15N6, MTEF1P15Q8, MTEF1P15V8, MTEH0N25J3, MTEJ0P20J3, IRF540N, MTF50P02J3, MTN003N02Y3, MTN003N03S3, MTN0401LA3, MTN0410L3, MTN04N03F3, MTN1012C3, MTN1012ZC3