MTN04N03F3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN04N03F3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 620 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO-263

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MTN04N03F3 datasheet

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MTN04N03F3

Spec. No. C807F3 Issued Date 2009.12.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25V ID 80A MTN04N03F3 RDSON 4m Features Low On-resistance Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-263 MTN04N03F3

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MTN04N03F3

Spec. No. C792L3 Issued Date 2010.07.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 N -Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS 100V MTN0410L3 ID 3A 280m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MTN0410L3 SOT-223 D S D G Gate D Drain G

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MTN04N03F3

Otros transistores... MTEH0N25J3, MTEJ0P20J3, MTEJ0P20L3, MTF50P02J3, MTN003N02Y3, MTN003N03S3, MTN0401LA3, MTN0410L3, IRF1404, MTN1012C3, MTN1012ZC3, MTN10N40E3, MTN10N60E3, MTN10N60FP, MTN10N65EA, MTN10N65FP, MTN10N65FPG