FSJ9160R Todos los transistores

 

FSJ9160R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FSJ9160R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA
     - Selección de transistores por parámetros

 

FSJ9160R Datasheet (PDF)

 7.1. Size:54K  intersil
 fsj9160.pdf pdf_icon

FSJ9160R

FSJ9160D,FSJ9160R44A, -100V, 0.055 Ohm, Rad Hard,June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETsFeatures Description 44A, -100V, rDS(ON) = 0.055 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation hasdeveloped a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Doseically designed for commercial and military space applica-tions. Enhanced Power MOSFET immunity t

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History: FCP16N60N | FDS8333C | RTL035N03FRA | TA75333 | FSJ9260D | BFC52 | MTN2N65I3

 

 
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