MTN15N50E3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN15N50E3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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MTN15N50E3 datasheet

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MTN15N50E3

Spec. No. C717E3 Issued Date 2010.08.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 500V RDS(ON) 0.38 (typ.) MTN15N50E3 ID 15A Description The MTN15N50E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistanc

 6.1. Size:282K  cystek
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MTN15N50E3

Spec. No. C717FP Issued Date 2013.08.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 500V RDS(ON) 0.38 (typ.) MTN15N50FP ID 15A Description The MTN15N50FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance

 6.2. Size:333K  cystek
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MTN15N50E3

Spec. No. C717F3 Issued Date 2010.08.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 500V RDS(ON) 0.38 (typ.) MTN15N50F3 ID 15A Description The MTN15N50F3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistanc

Otros transistores... MTN12N65FP, MTN1308E3, MTN1322S3, MTN138KS3, MTN138ZN3, MTN13N50E3, MTN13N50FP, MTN14N60FP, STP75NF75, MTN15N50F3, MTN15N50FP, MTN1634V8, MTN18N20FP, MTN1N60A3, MTN1N65I3, MTN2002ZS3, MTN2002ZW3