MTN15N50FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTN15N50FP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 51 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 140 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.38 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220FP
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTN15N50FP
MTN15N50FP Datasheet (PDF)
mtn15n50fp.pdf
Spec. No. : C717FP Issued Date : 2013.08.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) : 0.38(typ.) MTN15N50FP ID : 15A Description The MTN15N50FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance
mtn15n50f3.pdf
Spec. No. : C717F3 Issued Date : 2010.08.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) : 0.38(typ.) MTN15N50F3 ID : 15A Description The MTN15N50F3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistanc
mtn15n50e3.pdf
Spec. No. : C717E3 Issued Date : 2010.08.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 500V RDS(ON) : 0.38(typ.) MTN15N50E3 ID : 15A Description The MTN15N50E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistanc
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
