MTN1N60A3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN1N60A3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.4 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: TO-92

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MTN1N60A3 datasheet

 ..1. Size:310K  cystek
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MTN1N60A3

Spec. No. C721A3 Issued Date 2010.10.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600V RDS(ON) 8 (typ.) MTN1N60A3 ID 1A Description The MTN1N60A3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and

 7.1. Size:353K  cystek
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MTN1N60A3

Spec. No. C721L3 Issued Date 2014.11.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600V MTN1N60L3 ID@VGS=10V, TA=25 C 0.4A ID@VGS=10V, TC=25 C 0.9A RDSON@VGS=10V, ID=0.2A 7.8 (typ) Description The MTN1N60L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast sw

 8.1. Size:376K  cystek
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MTN1N60A3

Spec. No. C437I3 Issued Date 2009.01.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.11.10 Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 9.5 MTN1N65I3 ID 1.0A Description The MTN1N65I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resista

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