MTN1N60A3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTN1N60A3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 4.4 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 5 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 8 Ohm
Тип корпуса: TO-92
MTN1N60A3 Datasheet (PDF)
mtn1n60a3.pdf
Spec. No. : C721A3 Issued Date : 2010.10.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 8 (typ.) MTN1N60A3 ID : 1A Description The MTN1N60A3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and
mtn1n60l3.pdf
Spec. No. : C721L3 Issued Date : 2014.11.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600VMTN1N60L3ID@VGS=10V, TA=25C 0.4A ID@VGS=10V, TC=25C 0.9A RDSON@VGS=10V, ID=0.2A 7.8(typ) Description The MTN1N60L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast sw
mtn1n65i3.pdf
Spec. No. : C437I3 Issued Date : 2009.01.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.11.10 Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 9.5 MTN1N65I3 ID : 1.0A Description The MTN1N65I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resista
Другие MOSFET... MTN13N50E3 , MTN13N50FP , MTN14N60FP , MTN15N50E3 , MTN15N50F3 , MTN15N50FP , MTN1634V8 , MTN18N20FP , 20N50 , MTN1N65I3 , MTN2002ZS3 , MTN2002ZW3 , MTN20N20F3 , MTN20NF06J3 , MTN22N20J3 , MTN2300N3 , MTN2302N3 .
