MTN1N65I3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTN1N65I3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9.5 Ohm
Encapsulados: TO-251
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MTN1N65I3 datasheet
mtn1n65i3.pdf
Spec. No. C437I3 Issued Date 2009.01.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.11.10 Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 9.5 MTN1N65I3 ID 1.0A Description The MTN1N65I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resista
mtn1n60a3.pdf
Spec. No. C721A3 Issued Date 2010.10.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600V RDS(ON) 8 (typ.) MTN1N60A3 ID 1A Description The MTN1N60A3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and
mtn1n60l3.pdf
Spec. No. C721L3 Issued Date 2014.11.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600V MTN1N60L3 ID@VGS=10V, TA=25 C 0.4A ID@VGS=10V, TC=25 C 0.9A RDSON@VGS=10V, ID=0.2A 7.8 (typ) Description The MTN1N60L3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast sw
Otros transistores... MTN13N50FP, MTN14N60FP, MTN15N50E3, MTN15N50F3, MTN15N50FP, MTN1634V8, MTN18N20FP, MTN1N60A3, K3569, MTN2002ZS3, MTN2002ZW3, MTN20N20F3, MTN20NF06J3, MTN22N20J3, MTN2300N3, MTN2302N3, MTN2302V3
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Liste
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