FSJ9260D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSJ9260D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: TO254AA

 Búsqueda de reemplazo de FSJ9260D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FSJ9260D datasheet

 7.1. Size:54K  intersil
 fsj9260.pdf pdf_icon

FSJ9260D

FSJ9260D, FSJ9260R 27A, -200V, 0.130 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs Features Description 27A, -200V, rDS(ON) = 0.130 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- tions. Enhanced Power MOSFET immunity t

Otros transistores... FSJ160D, FSJ160R, FSJ260D, FSJ260R, FSJ264D, FSJ264R, FSJ9160D, FSJ9160R, IRF640N, FSJ9260R, FSL110D, FSL110R, FSL130D, FSL130R, FSL13AOD, FSL13AOR, FSL230D