MTN2572H8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTN2572H8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTN2572H8

MTN2572H8 Datasheet (PDF)

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mtn2572h8.pdf

Spec. No. : C434H8 Issued Date : 2013.09.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.11.12 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VMTN2572H8ID 32A36m VGS=10V, ID=20A 36m RDSON(TYP) VGS=10V, ID=12A 38m VGS=6V, ID=6A Description The MTN2572H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combinat

7.1. Size:299K cystek
mtn2572fp.pdf

Spec. No. : C434FP Issued Date : 2013.10.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 150VMTN2572FP ID 48ARDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 34 m(typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 38m(typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulating

7.2. Size:304K cystek
mtn2572j3.pdf

Spec. No. : C434J3 Issued Date : 2008.12.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.26 Page No. : 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTN2572J3 BVDSS 150VID 36ARDS(ON) 50m(max.) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS co

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mtn2572f3.pdf

Spec. No. : C434F3 Issued Date : 2010.09.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150VID 48AMTN2572F3 RDS(ON) 50m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline MTN2572F3 TO-263

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: