MTN2572H8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN2572H8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для MTN2572H8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN2572H8 даташит

 ..1. Size:405K  cystek
 mtn2572h8.pdf pdf_icon

MTN2572H8

Spec. No. C434H8 Issued Date 2013.09.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.11.12 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTN2572H8 ID 32A 36m VGS=10V, ID=20A 36m RDSON(TYP) VGS=10V, ID=12A 38m VGS=6V, ID=6A Description The MTN2572H8 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combinat

 7.1. Size:299K  cystek
 mtn2572fp.pdf pdf_icon

MTN2572H8

Spec. No. C434FP Issued Date 2013.10.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V MTN2572FP ID 48A RDS(ON)@VGS=10V, ID=20A 34 m (typ) RDS(ON)@VGS=6V, ID=10A 38m (typ) Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Insulating

 7.2. Size:304K  cystek
 mtn2572j3.pdf pdf_icon

MTN2572H8

Spec. No. C434J3 Issued Date 2008.12.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET MTN2572J3 BVDSS 150V ID 36A RDS(ON) 50m (max.) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS co

 7.3. Size:352K  cystek
 mtn2572f3.pdf pdf_icon

MTN2572H8

Spec. No. C434F3 Issued Date 2010.09.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 150V ID 48A MTN2572F3 RDS(ON) 50m Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline MTN2572F3 TO-263

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTN2510E3, MTN2510F3, MTN2510H8, MTN2510J3, MTN2510LE3, MTN2510LJ3, MTN2572F3, MTN2572FP, SI2302, MTN2572J3, MTN2604G6, MTN2N60FP, MTN2N60I3, MTN2N60J3, MTN2N65AI3, MTN2N65FP, MTN2N65I3