MTN303KN3 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

MTN303KN3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN303KN3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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MTN303KN3 datasheet

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Spec. No. C814N3 Issued Date 2012.05.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.08.27 Page No. 1/8 20V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20V MTN303KN3 ID 850mA RDSON@VGS=4.5V, ID=600mA 300m (typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=400mA 450m (typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=350mA 870m (typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free packag

9.1. Size:563K cystek
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Spec. No. C390J3 Issued Date 2007.06.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.02.04 Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30V ID 15A MTN3055J3 RDSON 26m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-252 MTN3055J3 G Gate G D S D

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