MTN3055M3 Todos los transistores

 

MTN3055M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTN3055M3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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MTN3055M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  cystek
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MTN3055M3

Spec. No. : C390M3 Issued Date : 2007.09.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.12.03 Page No. : 1/6 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VID 6AMTN3055M3 RDSON(MAX) 26m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Pb-free package Symbol Outline MTN3055M3 SOT-89 D G D S GGate S

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MTN3055M3

Spec. No. : C390J3 Issued Date : 2007.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.02.04 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VID 15AMTN3055J3 RDSON 26m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-252 MTN3055J3GGate G D S D

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MTN3055M3

Spec. No. : C390L3 Issued Date : 2010.10.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2012.08.20 Page No. : 1/8 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTN3055L3 ID 8.3A19m (typ) RDSON@VGS=10V, ID=4A 25m (typ) RDSON@VGS=4.5V, ID=3A Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating p

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MTN3055M3

Spec. No. : C814N3 Issued Date : 2012.05.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.08.27 Page No. : 1/8 20V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTN303KN3 ID 850mARDSON@VGS=4.5V, ID=600mA 300m(typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=400mA 450m(typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=350mA 870m(typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free packag

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History: AO4854

 

 
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