Справочник MOSFET. MTN3055M3

 

MTN3055M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN3055M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN3055M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  cystek
 mtn3055m3.pdf pdf_icon

MTN3055M3

Spec. No. : C390M3 Issued Date : 2007.09.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.12.03 Page No. : 1/6 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VID 6AMTN3055M3 RDSON(MAX) 26m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Pb-free package Symbol Outline MTN3055M3 SOT-89 D G D S GGate S

 7.1. Size:563K  cystek
 mtn3055j3.pdf pdf_icon

MTN3055M3

Spec. No. : C390J3 Issued Date : 2007.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.02.04 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VID 15AMTN3055J3 RDSON 26m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-252 MTN3055J3GGate G D S D

 7.2. Size:290K  cystek
 mtn3055l3.pdf pdf_icon

MTN3055M3

Spec. No. : C390L3 Issued Date : 2010.10.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2012.08.20 Page No. : 1/8 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTN3055L3 ID 8.3A19m (typ) RDSON@VGS=10V, ID=4A 25m (typ) RDSON@VGS=4.5V, ID=3A Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating p

 9.1. Size:307K  cystek
 mtn303kn3.pdf pdf_icon

MTN3055M3

Spec. No. : C814N3 Issued Date : 2012.05.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.08.27 Page No. : 1/8 20V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTN303KN3 ID 850mARDSON@VGS=4.5V, ID=600mA 300m(typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=400mA 450m(typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=350mA 870m(typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free packag

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2SK4096LS | UT8205A | PSMN8R5-100ES | IPP062NE7N3G | SFFX054M | HFP740 | WML11N80M3

 

 
Back to Top

 


 
.