Справочник MOSFET. MTN3055M3

 

MTN3055M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN3055M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 144 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
 

 Аналог (замена) для MTN3055M3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN3055M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  cystek
mtn3055m3.pdfpdf_icon

MTN3055M3

Spec. No. : C390M3 Issued Date : 2007.09.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.12.03 Page No. : 1/6 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VID 6AMTN3055M3 RDSON(MAX) 26m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Pb-free package Symbol Outline MTN3055M3 SOT-89 D G D S GGate S

 7.1. Size:563K  cystek
mtn3055j3.pdfpdf_icon

MTN3055M3

Spec. No. : C390J3 Issued Date : 2007.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.02.04 Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 30VID 15AMTN3055J3 RDSON 26m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-252 MTN3055J3GGate G D S D

 7.2. Size:290K  cystek
mtn3055l3.pdfpdf_icon

MTN3055M3

Spec. No. : C390L3 Issued Date : 2010.10.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2012.08.20 Page No. : 1/8 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTN3055L3 ID 8.3A19m (typ) RDSON@VGS=10V, ID=4A 25m (typ) RDSON@VGS=4.5V, ID=3A Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating p

 9.1. Size:307K  cystek
mtn303kn3.pdfpdf_icon

MTN3055M3

Spec. No. : C814N3 Issued Date : 2012.05.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.08.27 Page No. : 1/8 20V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS 20VMTN303KN3 ID 850mARDSON@VGS=4.5V, ID=600mA 300m(typ) RDSON@VGS=2.5V,ID=400mA 450m(typ) RDSON@VGS=1.8V,ID=350mA 870m(typ) Features Simple drive requirement Small package outline Pb-free packag

Другие MOSFET... MTN2N65J3 , MTN2N70FP , MTN2N70I3 , MTN3018S3 , MTN3023J3 , MTN303KN3 , MTN3055J3 , MTN3055L3 , RU7088R , MTN3205E3 , MTN3207E3 , MTN3207F3 , MTN3400N3 , MTN3410F3 , MTN3410J3 , MTN3418BN3 , MTN3418CN3 .

History: DMP3020LSS | G7N65 | PHB66NQ03LT | IRF7739L1

 

 
Back to Top

 


 
.