MTN3205E3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN3205E3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 128 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 116 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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MTN3205E3 datasheet

 ..1. Size:271K  cystek
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MTN3205E3

Spec. No. C572E3 Issued Date 2013.05.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 55V MTN3205E3 ID 128A 3.9 m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=62A RDSON(TYP) @ VGS=6V, ID=30A 4.5 m Description The MTN3205E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switchin

 8.1. Size:336K  cystek
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MTN3205E3

Spec. No. C578F3 Issued Date 2011.10.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.16 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 75V RDS(ON) 8.6 m (typ.) MTN3207F3 ID 80A Description The MTN3207F3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

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MTN3205E3

Spec. No. C578E3 Issued Date 2011.10.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.10.20 Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 75V RDS(ON) 8.6 m (typ.) MTN3207E3 ID 80A Description The MTN3207E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

Otros transistores... MTN2N70FP, MTN2N70I3, MTN3018S3, MTN3023J3, MTN303KN3, MTN3055J3, MTN3055L3, MTN3055M3, IRFZ46N, MTN3207E3, MTN3207F3, MTN3400N3, MTN3410F3, MTN3410J3, MTN3418BN3, MTN3418CN3, MTN3418N3