MTN3207E3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTN3207E3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 517 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTN3207E3

MTN3207E3 Datasheet (PDF)

..1. Size:314K cystek
mtn3207e3.pdf

Spec. No. : C578E3 Issued Date : 2011.10.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.20 Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 75V RDS(ON) : 8.6 m(typ.)MTN3207E3 ID : 80A Description The MTN3207E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

7.1. Size:336K cystek
mtn3207f3.pdf

Spec. No. : C578F3 Issued Date : 2011.10.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.16 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 75V RDS(ON) : 8.6 m(typ.)MTN3207F3 ID : 80A Description The MTN3207F3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

8.1. Size:271K cystek
mtn3205e3.pdf

Spec. No. : C572E3 Issued Date : 2013.05.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS 55VMTN3205E3 ID 128A3.9 m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=62A RDSON(TYP) @ VGS=6V, ID=30A 4.5 m Description The MTN3205E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switchin

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Liste

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