MTN3207E3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN3207E3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 66 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 517 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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MTN3207E3 datasheet

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MTN3207E3

Spec. No. C578E3 Issued Date 2011.10.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.10.20 Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 75V RDS(ON) 8.6 m (typ.) MTN3207E3 ID 80A Description The MTN3207E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

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MTN3207E3

Spec. No. C578F3 Issued Date 2011.10.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.16 Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 75V RDS(ON) 8.6 m (typ.) MTN3207F3 ID 80A Description The MTN3207F3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

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MTN3207E3

Spec. No. C572E3 Issued Date 2013.05.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 55V MTN3205E3 ID 128A 3.9 m RDSON(TYP) @ VGS=10V, ID=62A RDSON(TYP) @ VGS=6V, ID=30A 4.5 m Description The MTN3205E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switchin

Otros transistores... MTN2N70I3, MTN3018S3, MTN3023J3, MTN303KN3, MTN3055J3, MTN3055L3, MTN3055M3, MTN3205E3, IRF830, MTN3207F3, MTN3400N3, MTN3410F3, MTN3410J3, MTN3418BN3, MTN3418CN3, MTN3418N3, MTN3418S3