MTN351AN3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTN351AN3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTN351AN3

MTN351AN3 Datasheet (PDF)

..1. Size:464K cystek
mtn351an3.pdf

Spec. No. : C410N3 Issued Date : 2007.06.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.11.29 Page No. : 1/7 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTN351AN3 Features V =30V DS@V =10V, I =3A R =60m GS DDS(ON)@V =4.5V, I =2A R =100m GS DDS(ON) Lower gate charge Compact and low profile SOT-23 package Equivalent Circuit Outline MTN351AN3 SO

9.1. Size:407K cystek
mtn35n03j3.pdf

Spec. No. : C389J3 Issued Date : 2007.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2009.02.04 Page No. : 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25VID 36AMTN35N03J3 RDSON 13.5m Features Dynamic dv/dt Rating Single Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRFR9120

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: