MTN351AN3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN351AN3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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MTN351AN3 datasheet

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MTN351AN3

Spec. No. C410N3 Issued Date 2007.06.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.11.29 Page No. 1/7 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTN351AN3 Features V =30V DS @V =10V, I =3A R =60m GS D DS(ON) @V =4.5V, I =2A R =100m GS D DS(ON) Lower gate charge Compact and low profile SOT-23 package Equivalent Circuit Outline MTN351AN3 SO

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MTN351AN3

Spec. No. C389J3 Issued Date 2007.06.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.02.04 Page No. 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25V ID 36A MTN35N03J3 RDSON 13.5m Features Dynamic dv/dt Rating Single Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-

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