MTN35N03J3 Todos los transistores

 

MTN35N03J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTN35N03J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.87 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 268 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTN35N03J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  cystek
 mtn35n03j3.pdf pdf_icon

MTN35N03J3

Spec. No. : C389J3 Issued Date : 2007.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2009.02.04 Page No. : 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25VID 36AMTN35N03J3 RDSON 13.5m Features Dynamic dv/dt Rating Single Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-

 9.1. Size:464K  cystek
 mtn351an3.pdf pdf_icon

MTN35N03J3

Spec. No. : C410N3 Issued Date : 2007.06.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.11.29 Page No. : 1/7 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTN351AN3 Features V =30V DS@V =10V, I =3A R =60m GS DDS(ON)@V =4.5V, I =2A R =100m GS DDS(ON) Lower gate charge Compact and low profile SOT-23 package Equivalent Circuit Outline MTN351AN3 SO

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AOT460 | FCP16N60N | FDS8333C | TA75333 | MTN2N65I3 | RTL035N03FRA | FSJ9260D

 

 
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