MTN35N03J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTN35N03J3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Qgⓘ - Carga de la puerta: 18.4 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 3.87 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 268 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTN35N03J3
MTN35N03J3 Datasheet (PDF)
mtn35n03j3.pdf
Spec. No. : C389J3 Issued Date : 2007.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2009.02.04 Page No. : 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25VID 36AMTN35N03J3 RDSON 13.5m Features Dynamic dv/dt Rating Single Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-
mtn351an3.pdf
Spec. No. : C410N3 Issued Date : 2007.06.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.11.29 Page No. : 1/7 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTN351AN3 Features V =30V DS@V =10V, I =3A R =60m GS DDS(ON)@V =4.5V, I =2A R =100m GS DDS(ON) Lower gate charge Compact and low profile SOT-23 package Equivalent Circuit Outline MTN351AN3 SO
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