MTN35N03J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN35N03J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.87 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 268 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTN35N03J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN35N03J3 даташит

 ..1. Size:407K  cystek
 mtn35n03j3.pdf pdf_icon

MTN35N03J3

Spec. No. C389J3 Issued Date 2007.06.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.02.04 Page No. 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25V ID 36A MTN35N03J3 RDSON 13.5m Features Dynamic dv/dt Rating Single Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-

 9.1. Size:464K  cystek
 mtn351an3.pdf pdf_icon

MTN35N03J3

Spec. No. C410N3 Issued Date 2007.06.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.11.29 Page No. 1/7 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTN351AN3 Features V =30V DS @V =10V, I =3A R =60m GS D DS(ON) @V =4.5V, I =2A R =100m GS D DS(ON) Lower gate charge Compact and low profile SOT-23 package Equivalent Circuit Outline MTN351AN3 SO

Другие IGBT... MTN3418CN3, MTN3418N3, MTN3418S3, MTN3434G6, MTN3440N6, MTN3484J3, MTN3484V8, MTN351AN3, IRF730, MTN3607E3, MTN3607F3, MTN3820F3, MTN3820J3, MTN3K01N3, MTN3N60FP, MTN3N60I3, MTN3N60J3