Справочник MOSFET. MTN35N03J3

 

MTN35N03J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN35N03J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.87 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 268 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTN35N03J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN35N03J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  cystek
 mtn35n03j3.pdf pdf_icon

MTN35N03J3

Spec. No. : C389J3 Issued Date : 2007.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2009.02.04 Page No. : 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 25VID 36AMTN35N03J3 RDSON 13.5m Features Dynamic dv/dt Rating Single Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-

 9.1. Size:464K  cystek
 mtn351an3.pdf pdf_icon

MTN35N03J3

Spec. No. : C410N3 Issued Date : 2007.06.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.11.29 Page No. : 1/7 30V N-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTN351AN3 Features V =30V DS@V =10V, I =3A R =60m GS DDS(ON)@V =4.5V, I =2A R =100m GS DDS(ON) Lower gate charge Compact and low profile SOT-23 package Equivalent Circuit Outline MTN351AN3 SO

Другие MOSFET... MTN3418CN3 , MTN3418N3 , MTN3418S3 , MTN3434G6 , MTN3440N6 , MTN3484J3 , MTN3484V8 , MTN351AN3 , BS170 , MTN3607E3 , MTN3607F3 , MTN3820F3 , MTN3820J3 , MTN3K01N3 , MTN3N60FP , MTN3N60I3 , MTN3N60J3 .

History: PE8D8BA | STU8NM60ND | RSY200N05TL | PM5Q2EA | PKCD0BB | 2SK1404 | AP3N1R8MT

 

 
Back to Top

 


 
.