MTN3607E3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN3607E3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 401 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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MTN3607E3 datasheet

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MTN3607E3

Spec. No. C579E3 Issued Date 2011.10.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.20 Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 75V RDS(ON) 7.8 m (typ.) MTN3607E3 ID 75A Description The MTN3607E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re

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MTN3607E3

Spec. No. C579F3 Issued Date 2011.10.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 75V RDS(ON) 7.8 m (typ.) MTN3607F3 ID 75A Description The MTN3607F3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a

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