MTN3607E3 Todos los transistores

 

MTN3607E3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTN3607E3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 12 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 90 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 401 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTN3607E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  cystek
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MTN3607E3

Spec. No. : C579E3 Issued Date : 2011.10.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.20 Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 75V RDS(ON) : 7.8 m(typ.)MTN3607E3 ID :75A Description The MTN3607E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re

 7.1. Size:334K  cystek
 mtn3607f3.pdf pdf_icon

MTN3607E3

Spec. No. : C579F3 Issued Date : 2011.10.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 75V RDS(ON) : 7.8 m(typ.)MTN3607F3 ID : 75A Description The MTN3607F3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a

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