MTN3607E3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN3607E3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 401 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для MTN3607E3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN3607E3 даташит

 ..1. Size:323K  cystek
 mtn3607e3.pdf pdf_icon

MTN3607E3

Spec. No. C579E3 Issued Date 2011.10.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.20 Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 75V RDS(ON) 7.8 m (typ.) MTN3607E3 ID 75A Description The MTN3607E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re

 7.1. Size:334K  cystek
 mtn3607f3.pdf pdf_icon

MTN3607E3

Spec. No. C579F3 Issued Date 2011.10.21 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 75V RDS(ON) 7.8 m (typ.) MTN3607F3 ID 75A Description The MTN3607F3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a

Другие IGBT... MTN3418N3, MTN3418S3, MTN3434G6, MTN3440N6, MTN3484J3, MTN3484V8, MTN351AN3, MTN35N03J3, IRFZ44N, MTN3607F3, MTN3820F3, MTN3820J3, MTN3K01N3, MTN3N60FP, MTN3N60I3, MTN3N60J3, MTN3N65FP