Справочник MOSFET. MTN3607E3

 

MTN3607E3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN3607E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 401 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для MTN3607E3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN3607E3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  cystek
 mtn3607e3.pdf pdf_icon

MTN3607E3

Spec. No. : C579E3 Issued Date : 2011.10.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.20 Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 75V RDS(ON) : 7.8 m(typ.)MTN3607E3 ID :75A Description The MTN3607E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re

 7.1. Size:334K  cystek
 mtn3607f3.pdf pdf_icon

MTN3607E3

Spec. No. : C579F3 Issued Date : 2011.10.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 75V RDS(ON) : 7.8 m(typ.)MTN3607F3 ID : 75A Description The MTN3607F3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance a

Другие MOSFET... MTN3418N3 , MTN3418S3 , MTN3434G6 , MTN3440N6 , MTN3484J3 , MTN3484V8 , MTN351AN3 , MTN35N03J3 , IRFZ44N , MTN3607F3 , MTN3820F3 , MTN3820J3 , MTN3K01N3 , MTN3N60FP , MTN3N60I3 , MTN3N60J3 , MTN3N65FP .

History: STD30PF03L-1 | SWT69N65K2F | 2SJ285 | AOH3106 | SI8499DB | PSMN1R1-40BS

 

 
Back to Top

 


 
.