MTN3820J3 Todos los transistores

 

MTN3820J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTN3820J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de MTN3820J3 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MTN3820J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  cystek
 mtn3820j3.pdf pdf_icon

MTN3820J3

Spec. No. : C576J3 Issued Date : 2011.11.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN3820J3 ID 24A64m VGS=10V, ID=18A RDSON(TYP) 65m VGS=4V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline

 7.1. Size:335K  cystek
 mtn3820f3.pdf pdf_icon

MTN3820J3

Spec. No. : C576F3 Issued Date : 2011.11.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN3820F3 ID 26A64m VGS=10V, ID=18A Features RDSON(TYP) Low Gate Charge 65m VGS=4V, ID=10A Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compli

Otros transistores... MTN3440N6 , MTN3484J3 , MTN3484V8 , MTN351AN3 , MTN35N03J3 , MTN3607E3 , MTN3607F3 , MTN3820F3 , IRF840 , MTN3K01N3 , MTN3N60FP , MTN3N60I3 , MTN3N60J3 , MTN3N65FP , MTN40N03I3 , MTN40N03J3 , MTN4402Q8 .

History: BRCS045N10SHRA | CS16N60FA9H | AP9578GI-HF | 2SK1316L | IRHYB67134CM | RFM12P10 | SH8M24

 

 
Back to Top

 


 
.