MTN3820J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN3820J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTN3820J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN3820J3 даташит

 ..1. Size:277K  cystek
 mtn3820j3.pdf pdf_icon

MTN3820J3

Spec. No. C576J3 Issued Date 2011.11.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTN3820J3 ID 24A 64m VGS=10V, ID=18A RDSON(TYP) 65m VGS=4V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline

 7.1. Size:335K  cystek
 mtn3820f3.pdf pdf_icon

MTN3820J3

Spec. No. C576F3 Issued Date 2011.11.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTN3820F3 ID 26A 64m VGS=10V, ID=18A Features RDSON(TYP) Low Gate Charge 65m VGS=4V, ID=10A Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compli

Другие IGBT... MTN3440N6, MTN3484J3, MTN3484V8, MTN351AN3, MTN35N03J3, MTN3607E3, MTN3607F3, MTN3820F3, IRF840, MTN3K01N3, MTN3N60FP, MTN3N60I3, MTN3N60J3, MTN3N65FP, MTN40N03I3, MTN40N03J3, MTN4402Q8