Справочник MOSFET. MTN3820J3

 

MTN3820J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTN3820J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 46 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 24 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 23 nC
   Время нарастания (tr): 9 ns
   Выходная емкость (Cd): 62.3 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.064 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MTN3820J3

 

 

MTN3820J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:277K  cystek
 mtn3820j3.pdf

MTN3820J3 MTN3820J3

Spec. No. : C576J3 Issued Date : 2011.11.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN3820J3 ID 24A64m VGS=10V, ID=18A RDSON(TYP) 65m VGS=4V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline

 7.1. Size:335K  cystek
 mtn3820f3.pdf

MTN3820J3 MTN3820J3

Spec. No. : C576F3 Issued Date : 2011.11.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN3820F3 ID 26A64m VGS=10V, ID=18A Features RDSON(TYP) Low Gate Charge 65m VGS=4V, ID=10A Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characteristic RoHS compli

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top