MTN4N60FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTN4N60FP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Qgⓘ - Carga de la puerta: 18.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 6.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220FP
Búsqueda de reemplazo de MTN4N60FP MOSFET
MTN4N60FP Datasheet (PDF)
mtn4n60fp.pdf

Spec. No. : C408FP Issued Date : 2008.09.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.11.20 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1(typ.) MTN4N60FP ID : 4A Description The MTN4N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re
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Spec. No. : C408E3 Issued Date : 2010.12.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1(typ.) MTN4N60E3 ID : 4A Description The MTN4N60E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and
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Spec. No. : C408I3 Issued Date : 2010.01.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.8(typ.) MTN4N60J3 ID : 4A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating package Applications
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Spec. No. : C408FP-B Issued Date : 2010.03.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.29 Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) typ: 2.8 MTN4N60AFP ID : 4A Description The MTN4N60AFP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r
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Liste
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