Справочник MOSFET. MTN4N60FP

 

MTN4N60FP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN4N60FP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220FP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN4N60FP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  cystek
mtn4n60fp.pdfpdf_icon

MTN4N60FP

Spec. No. : C408FP Issued Date : 2008.09.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.11.20 Page No. : 1/ 10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1(typ.) MTN4N60FP ID : 4A Description The MTN4N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re

 7.1. Size:320K  cystek
mtn4n60e3.pdfpdf_icon

MTN4N60FP

Spec. No. : C408E3 Issued Date : 2010.12.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.1(typ.) MTN4N60E3 ID : 4A Description The MTN4N60E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and

 7.2. Size:357K  cystek
mtn4n60j3.pdfpdf_icon

MTN4N60FP

Spec. No. : C408I3 Issued Date : 2010.01.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 2.8(typ.) MTN4N60J3 ID : 4A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating package Applications

 7.3. Size:315K  cystek
mtn4n60afp.pdfpdf_icon

MTN4N60FP

Spec. No. : C408FP-B Issued Date : 2010.03.15 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.29 Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) typ: 2.8 MTN4N60AFP ID : 4A Description The MTN4N60AFP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MTE130N20FP | TTP118N08A | NTB5404N | QS8K13 | TK3A60DA | HGD750N15M

 

 
Back to Top

 


 
.