MTN4N65I3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTN4N65I3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTN4N65I3

MTN4N65I3 Datasheet (PDF)

..1. Size:332K cystek
mtn4n65i3.pdf

Spec. No. : C797I3 Issued Date : 2010.03.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.18 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 3.0(typ.) MTN4N65I3 ID : 4A Description The MTN4N65I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re

7.1. Size:393K cystek
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Spec. No. : C797F3 Issued Date : 2015.03.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 3 (typ.) MTN4N65F3 ID : 4A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS compliant package Applications Adapter

7.2. Size:504K cystek
mtn4n65fp.pdf

Spec. No. : C797FP Issued Date : 2010.06.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2014.07.28 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS : 650V RDS(ON) : 3 (typ.) MTN4N65FP ID : 4A Description The MTN4N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

7.3. Size:327K cystek
mtn4n65j3.pdf

Spec. No. : C797J3 Issued Date : 2011.09.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 3.0(typ.) MTN4N65J3 ID : 4A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and halogen-free package

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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