Справочник MOSFET. MTN4N65I3

 

MTN4N65I3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN4N65I3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 51 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN4N65I3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  cystek
mtn4n65i3.pdfpdf_icon

MTN4N65I3

Spec. No. : C797I3 Issued Date : 2010.03.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.18 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 3.0(typ.) MTN4N65I3 ID : 4A Description The MTN4N65I3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-re

 7.1. Size:393K  cystek
mtn4n65f3.pdfpdf_icon

MTN4N65I3

Spec. No. : C797F3 Issued Date : 2015.03.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/ 11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 3 (typ.) MTN4N65F3 ID : 4A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and RoHS compliant package Applications Adapter

 7.2. Size:504K  cystek
mtn4n65fp.pdfpdf_icon

MTN4N65I3

Spec. No. : C797FP Issued Date : 2010.06.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2014.07.28 Page No. : 1/ 9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS : 650V RDS(ON) : 3 (typ.) MTN4N65FP ID : 4A Description The MTN4N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

 7.3. Size:327K  cystek
mtn4n65j3.pdfpdf_icon

MTN4N65I3

Spec. No. : C797J3 Issued Date : 2011.09.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/11 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 3.0(typ.) MTN4N65J3 ID : 4A Features Low On Resistance Simple Drive Requirement Low Gate Charge Fast Switching Characteristic Pb-free lead plating and halogen-free package

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TK3A60DA | HAF1002 | PK5M6EA | BSS214NW | APL602J

 

 
Back to Top

 


 
.