MTN540J3 Todos los transistores

 

MTN540J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTN540J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 79.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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MTN540J3 Datasheet (PDF)

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MTN540J3

Spec. No. : C581J3 Issued Date : 2011.10.31 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN540J3 ID 25A49m VGS=10V, ID=18A RDSON(TYP) 48m VGS=4.5V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivale

Otros transistores... MTN4N60FP , MTN4N60I3 , MTN4N60J3 , MTN4N65FP , MTN4N65I3 , MTN4N65J3 , MTN4N70I3 , MTN50N06E3 , K3569 , MTN5N50E3 , MTN5N50FP , MTN5N50I3 , MTN5N50J3 , MTN5N60E3 , MTN5N60FP , MTN5N60I3 , MTN5N60J3 .

History: PSMN023-80LS | IRLML5103 | IXTH31N15MA

 

 
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