MTN540J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN540J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 79.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MTN540J3 datasheet

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MTN540J3

Spec. No. C581J3 Issued Date 2011.10.31 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100V MTN540J3 ID 25A 49m VGS=10V, ID=18A RDSON(TYP) 48m VGS=4.5V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivale

Otros transistores... MTN4N60FP, MTN4N60I3, MTN4N60J3, MTN4N65FP, MTN4N65I3, MTN4N65J3, MTN4N70I3, MTN50N06E3, IRF9540, MTN5N50E3, MTN5N50FP, MTN5N50I3, MTN5N50J3, MTN5N60E3, MTN5N60FP, MTN5N60I3, MTN5N60J3