Справочник MOSFET. MTN540J3

 

MTN540J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN540J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 79.3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN540J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  cystek
 mtn540j3.pdf pdf_icon

MTN540J3

Spec. No. : C581J3 Issued Date : 2011.10.31 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN540J3 ID 25A49m VGS=10V, ID=18A RDSON(TYP) 48m VGS=4.5V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivale

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: PTA13N45 | CJ3420 | IPD50R280CE | IRHN7450 | STU10L01 | NDT6N70 | 2SK1660

 

 
Back to Top

 


 
.