MTN540J3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MTN540J3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 79.3 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MTN540J3
MTN540J3 Datasheet (PDF)
mtn540j3.pdf

Spec. No. : C581J3 Issued Date : 2011.10.31 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N -Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 100VMTN540J3 ID 25A49m VGS=10V, ID=18A RDSON(TYP) 48m VGS=4.5V, ID=10A Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating and halogen-free package Equivale
Другие MOSFET... MTN4N60FP , MTN4N60I3 , MTN4N60J3 , MTN4N65FP , MTN4N65I3 , MTN4N65J3 , MTN4N70I3 , MTN50N06E3 , AO3400 , MTN5N50E3 , MTN5N50FP , MTN5N50I3 , MTN5N50J3 , MTN5N60E3 , MTN5N60FP , MTN5N60I3 , MTN5N60J3 .
History: SIHB16N50C | APQ14SN65AH | MDF7N65BTH | INJ0001AU1 | TMP2N60Z | IXFR24N50Q | WMK18N50D1B
History: SIHB16N50C | APQ14SN65AH | MDF7N65BTH | INJ0001AU1 | TMP2N60Z | IXFR24N50Q | WMK18N50D1B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP3409MI | AP3407MI | AP3407AI | AP3404BI | AP3401MI | AP3401AI | AP3400MI-L | AP3400DI | AP3400CI | AP3400BI | AP3400AI | AP320N04TLG5 | AP30P10P | AP30P06D | AP30P03DF | AP13P20D
Popular searches
irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor