MTN7N60FP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTN7N60FP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 37 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220FP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTN7N60FP

MTN7N60FP Datasheet (PDF)

..1. Size:277K cystek
mtn7n60fp.pdf

Spec. No. : C409FP Issued Date : 2008.09.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.29 Page No. : 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 1.08(typ.) MTN7N60FP ID : 7A Description The MTN7N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

7.1. Size:238K cystek
mtn7n60e3.pdf

Spec. No. : C409E3 Issued Date : 2011.12.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 600V RDS(ON) : 1.08(typ.) MTN7N60E3 ID : 7A Description The MTN7N60E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance an

8.1. Size:335K cystek
mtn7n65fp.pdf

Spec. No. : C436FP Issued Date : 2009.01.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.29 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETBVDSS : 650V RDS(ON) : 1.2 MTN7N65FP ID : 7A Description The MTN7N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistanc

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Liste

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