MTN7N60FP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN7N60FP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.08 Ohm

Encapsulados: TO-220FP

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MTN7N60FP datasheet

 ..1. Size:277K  cystek
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MTN7N60FP

Spec. No. C409FP Issued Date 2008.09.02 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.29 Page No. 1/10 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600V RDS(ON) 1.08 (typ.) MTN7N60FP ID 7A Description The MTN7N60FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-r

 7.1. Size:238K  cystek
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MTN7N60FP

Spec. No. C409E3 Issued Date 2011.12.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 600V RDS(ON) 1.08 (typ.) MTN7N60E3 ID 7A Description The MTN7N60E3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance an

 8.1. Size:335K  cystek
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MTN7N60FP

Spec. No. C436FP Issued Date 2009.01.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.29 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 650V RDS(ON) 1.2 MTN7N65FP ID 7A Description The MTN7N65FP is a N-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistanc

Otros transistores... MTN7002ZHN3, MTN7002ZHS3, MTN7002ZN3, MTN7002ZS3, MTN7451J3, MTN7451Q8, MTN7478Q8, MTN7N60E3, IRFP250, MTN7N65FP, MTN8N50E3, MTN8N50FP, MTN8N60E3, MTN8N60FP, MTN8N65E3, MTN8N65EA, MTN8N65FP