MTN9971J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTN9971J3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MTN9971J3 MOSFET
MTN9971J3 Datasheet (PDF)
mtn9971j3.pdf
Spec. No. : C415J3 Issued Date : 2008.08.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTN9971J3 ID 25ARDS(ON)@VGS=10V, ID=18A 27m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=12A 31m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characterist
mtn9973j3.pdf
Spec. No. : C418J3 Issued Date : 2008.08.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.02.04 Page No. : 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VID 14AMTN9973J3 RDSON 80m Features V =60V DS R =80m (max.)@V =10V, I =9A DS(ON) GS D R =100m (max.)@V =4.5V, I =6A DS(ON) GS D Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repeti
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Liste
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