MTN9971J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN9971J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTN9971J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN9971J3 даташит

 ..1. Size:302K  cystek
 mtn9971j3.pdf pdf_icon

MTN9971J3

Spec. No. C415J3 Issued Date 2008.08.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V MTN9971J3 ID 25A RDS(ON)@VGS=10V, ID=18A 27m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=12A 31m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characterist

 8.1. Size:360K  cystek
 mtn9973j3.pdf pdf_icon

MTN9971J3

Spec. No. C418J3 Issued Date 2008.08.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.02.04 Page No. 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V ID 14A MTN9973J3 RDSON 80m Features V =60V DS R =80m (max.)@V =10V, I =9A DS(ON) GS D R =100m (max.)@V =4.5V, I =6A DS(ON) GS D Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repeti

Другие IGBT... MTN8N50FP, MTN8N60E3, MTN8N60FP, MTN8N65E3, MTN8N65EA, MTN8N65FP, MTN8N70FP, MTN9240J3, IRF2807, MTN9973J3, MTNK1N3, MTNK1S3, MTNK2N3, MTNK2S3, MTNK3C3, MTNK3N3, MTNK3S3