MTN9973J3 Todos los transistores

 

MTN9973J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTN9973J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

MTN9973J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:360K  cystek
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MTN9973J3

Spec. No. : C418J3 Issued Date : 2008.08.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.02.04 Page No. : 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VID 14AMTN9973J3 RDSON 80m Features V =60V DS R =80m (max.)@V =10V, I =9A DS(ON) GS D R =100m (max.)@V =4.5V, I =6A DS(ON) GS D Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repeti

 8.1. Size:302K  cystek
 mtn9971j3.pdf pdf_icon

MTN9973J3

Spec. No. : C415J3 Issued Date : 2008.08.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTN9971J3 ID 25ARDS(ON)@VGS=10V, ID=18A 27m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=12A 31m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characterist

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STP11NM60N | BUK7Y153-100E | LSB60R039GT | R6046FNZ1 | VN2110 | TPP65R360M | IMW120R140M1H

 

 
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