MTN9973J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTN9973J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MTN9973J3 datasheet

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MTN9973J3

Spec. No. C418J3 Issued Date 2008.08.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.02.04 Page No. 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V ID 14A MTN9973J3 RDSON 80m Features V =60V DS R =80m (max.)@V =10V, I =9A DS(ON) GS D R =100m (max.)@V =4.5V, I =6A DS(ON) GS D Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repeti

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MTN9973J3

Spec. No. C415J3 Issued Date 2008.08.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V MTN9971J3 ID 25A RDS(ON)@VGS=10V, ID=18A 27m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=12A 31m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characterist

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