MTN9973J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTN9973J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTN9973J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN9973J3 даташит

 ..1. Size:360K  cystek
 mtn9973j3.pdf pdf_icon

MTN9973J3

Spec. No. C418J3 Issued Date 2008.08.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.02.04 Page No. 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V ID 14A MTN9973J3 RDSON 80m Features V =60V DS R =80m (max.)@V =10V, I =9A DS(ON) GS D R =100m (max.)@V =4.5V, I =6A DS(ON) GS D Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repeti

 8.1. Size:302K  cystek
 mtn9971j3.pdf pdf_icon

MTN9973J3

Spec. No. C415J3 Issued Date 2008.08.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60V MTN9971J3 ID 25A RDS(ON)@VGS=10V, ID=18A 27m (typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=12A 31m (typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characterist

Другие IGBT... MTN8N60E3, MTN8N60FP, MTN8N65E3, MTN8N65EA, MTN8N65FP, MTN8N70FP, MTN9240J3, MTN9971J3, STF13NM60N, MTNK1N3, MTNK1S3, MTNK2N3, MTNK2S3, MTNK3C3, MTNK3N3, MTNK3S3, MTNK3W3