Справочник MOSFET. MTN9973J3

 

MTN9973J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTN9973J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MTN9973J3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTN9973J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:360K  cystek
 mtn9973j3.pdf pdf_icon

MTN9973J3

Spec. No. : C418J3 Issued Date : 2008.08.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.02.04 Page No. : 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VID 14AMTN9973J3 RDSON 80m Features V =60V DS R =80m (max.)@V =10V, I =9A DS(ON) GS D R =100m (max.)@V =4.5V, I =6A DS(ON) GS D Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repeti

 8.1. Size:302K  cystek
 mtn9971j3.pdf pdf_icon

MTN9973J3

Spec. No. : C415J3 Issued Date : 2008.08.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTN9971J3 ID 25ARDS(ON)@VGS=10V, ID=18A 27m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=12A 31m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characterist

Другие MOSFET... MTN8N60E3 , MTN8N60FP , MTN8N65E3 , MTN8N65EA , MTN8N65FP , MTN8N70FP , MTN9240J3 , MTN9971J3 , IRF2807 , MTNK1N3 , MTNK1S3 , MTNK2N3 , MTNK2S3 , MTNK3C3 , MTNK3N3 , MTNK3S3 , MTNK3W3 .

History: AP4455GEH-HF | MRF166W | IRFP4321PBF | PDN3611S | HM2P10PR | 2SK2032

 

 
Back to Top

 


 
.