Справочник MOSFET. MTN9973J3

 

MTN9973J3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTN9973J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 8 nC
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 77 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MTN9973J3

 

 

MTN9973J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:360K  cystek
 mtn9973j3.pdf

MTN9973J3 MTN9973J3

Spec. No. : C418J3 Issued Date : 2008.08.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.02.04 Page No. : 1/7 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VID 14AMTN9973J3 RDSON 80m Features V =60V DS R =80m (max.)@V =10V, I =9A DS(ON) GS D R =100m (max.)@V =4.5V, I =6A DS(ON) GS D Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repeti

 8.1. Size:302K  cystek
 mtn9971j3.pdf

MTN9973J3 MTN9973J3

Spec. No. : C415J3 Issued Date : 2008.08.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/9 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS 60VMTN9971J3 ID 25ARDS(ON)@VGS=10V, ID=18A 27m(typ) RDS(ON)@VGS=4.5V, ID=12A 31m(typ) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Characterist

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top