MTNK1N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTNK1N3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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MTNK1N3 datasheet

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MTNK1N3

Spec. No. C320N3 Issued Date 2007.11.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.04.12 Page No. 1/7 N-CHANNEL MOSFET BVDSS 60V ID 300mA MTNK1N3 1.5 (typ.) RDSON@VGS=10V, ID=100mA 1.9 (typ.) RDSON@VGS=4.5V, ID=100mA Description The MTNK1N3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching

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MTNK1N3

Spec. No. C320S3 Issued Date 2007.11.06 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.11.12 Page No. 1/7 N-CHANNEL MOSFET MTNK1S3 Description The MTNK1S3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-

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