MTNK1N3 Todos los transistores

 

MTNK1N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTNK1N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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MTNK1N3 Datasheet (PDF)

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MTNK1N3

Spec. No. : C320N3 Issued Date : 2007.11.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.04.12 Page No. : 1/7 N-CHANNEL MOSFET BVDSS 60VID 300mAMTNK1N3 1.5(typ.)RDSON@VGS=10V, ID=100mA 1.9(typ.)RDSON@VGS=4.5V, ID=100mA Description The MTNK1N3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching

 9.1. Size:258K  cystek
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MTNK1N3

Spec. No. : C320S3 Issued Date : 2007.11.06 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.11.12 Page No. : 1/7 N-CHANNEL MOSFET MTNK1S3 Description The MTNK1S3 is a N-channel enhancement-mode MOSFET. Features Low on-resistance High ESD High speed switching Low-voltage drive(4V) Easily designed drive circuits Easy to use in parallel Pb-

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History: TF212 | JMPL1025AK | NDH8304P | FQB13N50CTM | P06P03LVG | SIA813DJ | FDD6N20TF

 

 
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