MTNK5C3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTNK5C3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm

Encapsulados: SOT-523

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MTNK5C3 datasheet

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MTNK5C3

Spec. No. C800C3 Issued Date 2011.01.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 ESD protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30V MTNK5C3 ID 100mA 8 RDSON(MAX) Description Low voltage drive(2.5V drive) makes this device ideal for portable equipment. High speed switching ESD protected device Pb-free lead plating & halo

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Spec. No. C800N3 Issued Date 2010.07.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.14 Page No. 1/8 ESD protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30V MTNK5N3 ID 100mA 8 RDSON(MAX) Description Low voltage drive(2.5V drive) makes this device ideal for portable equipment. High speed switching ESD protected device Pb-free lead pla

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MTNK5C3

Spec. No. C800S3 Issued Date 2010.07.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.09.09 Page No. 1/8 ESD protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30V MTNK5S3 ID 100mA 8 RDSON(MAX) Description Low voltage drive(2.5V drive) makes this device ideal for portable equipment. High speed switching ESD protected device Pb-free lead pla

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