MTNK5N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTNK5N3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.3 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTNK5N3
MTNK5N3 Datasheet (PDF)
mtnk5n3.pdf
Spec. No. : C800N3 Issued Date : 2010.07.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.14 Page No. : 1/8 ESD protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTNK5N3 ID 100mA 8 RDSON(MAX) Description Low voltage drive(2.5V drive) makes this device ideal for portable equipment. High speed switching ESD protected device Pb-free lead pla
mtnk5s3.pdf
Spec. No. : C800S3 Issued Date : 2010.07.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.09 Page No. : 1/8 ESD protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTNK5S3 ID 100mA 8 RDSON(MAX) Description Low voltage drive(2.5V drive) makes this device ideal for portable equipment. High speed switching ESD protected device Pb-free lead pla
mtnk5c3.pdf
Spec. No. : C800C3 Issued Date : 2011.01.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 ESD protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTNK5C3 ID 100mA 8 RDSON(MAX) Description Low voltage drive(2.5V drive) makes this device ideal for portable equipment. High speed switching ESD protected device Pb-free lead plating & halo
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Liste
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