MTNK5N3 Todos los transistores

 

MTNK5N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTNK5N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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MTNK5N3 Datasheet (PDF)

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MTNK5N3

Spec. No. : C800N3 Issued Date : 2010.07.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.14 Page No. : 1/8 ESD protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTNK5N3 ID 100mA 8 RDSON(MAX) Description Low voltage drive(2.5V drive) makes this device ideal for portable equipment. High speed switching ESD protected device Pb-free lead pla

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MTNK5N3

Spec. No. : C800S3 Issued Date : 2010.07.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.09.09 Page No. : 1/8 ESD protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTNK5S3 ID 100mA 8 RDSON(MAX) Description Low voltage drive(2.5V drive) makes this device ideal for portable equipment. High speed switching ESD protected device Pb-free lead pla

 9.2. Size:320K  cystek
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MTNK5N3

Spec. No. : C800C3 Issued Date : 2011.01.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 ESD protected N-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS 30VMTNK5C3 ID 100mA 8 RDSON(MAX) Description Low voltage drive(2.5V drive) makes this device ideal for portable equipment. High speed switching ESD protected device Pb-free lead plating & halo

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History: AP6N2R0CDT | NCEP048N85 | CJP08N65

 

 
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