MTP1406J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTP1406J3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 665 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.082 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTP1406J3

MTP1406J3 Datasheet (PDF)

..1. Size:328K cystek
mtp1406j3.pdf

Spec. No. : C733J3 Issued Date : 2011.05.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60VMTP1406J3 ID -10A90.8m RDSON(MAX) Features Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating package Equivalent Circuit Outline MTP1406J3TO-252AB TO-252AA G D S G D S G

7.1. Size:238K cystek
mtp1406m3.pdf

Spec. No. : C733M3 Issued Date : 2011.05.16 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.08.12 Page No. : 1/5 P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET BVDSS -60VMTP1406M3 ID -4A90.8m RDSON(MAX) Features Single Drive Requirement Low On-resistance, RDS(ON)=90.8m@VGS=-10V, ID=-4A Ultra High Speed Switching Pb-free lead plated package Symbol

7.2. Size:560K cystek
mtp1406l3.pdf

Spec. No. : C733L3 Issued Date : 2012.02.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2014.07.25 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60V MTP1406L3 ID -4.8A 75m (typ.) RDSON@VGS=-10V, ID=-4A RDSON@VGS=-10V, ID=-1.5A 74m (typ.) 99m (typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-2A Features Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast

9.1. Size:242K motorola
mtp14n10e.pdf

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