MTP2305N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP2305N3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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MTP2305N3 datasheet

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MTP2305N3

Spec. No. C417N3 Issued Date 2007.07.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2018.12.06 Page No. 1/ 9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20V ID@TA=25 C, VGS=-4.5V -4.8A MTP2305N3 27m (typ.) RDSON@VGS=-10V, ID=-4.5A 32m (typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4.2A 37m (typ.) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-2A 47m (typ.) RDSON@VGS=-1.8V, ID=-1A Features

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MTP2305N3

Spec. No. C322N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2004.04.05 Revised Date 2018.08.31 Page No. 1/9 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20V MTP2301N3 ID@TA=25 C, VGS=-4.5V -3.4A 79m RDSON(TYP)@VGS=-4.5V, ID=-2.8A 116m RDSON(TYP)@VGS=-2.5V, ID=-2A Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on res

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MTP2305N3

Spec. No. C322S3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2013.08.29 Revised Date 2013.09.09 Page No. 1/8 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20V MTP2301S3 ID -1.6A 75m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-1.6A 113m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-2.5V, ID=-1A Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on resistance

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MTP2305N3

Spec. No. C426N3 Issued Date 2008.03.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP2303N3 Description The MTP2303N3 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. Features V =-30V DS

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