MTP2311V8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP2311V8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 14 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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MTP2311V8 datasheet

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MTP2311V8

Spec. No. C733V8 Issued Date 2013.06.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -60V MTP2311V8 ID -11A RDSON@VGS=10V, ID=-3A 63m (typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-2A 78m (typ) Description The MTP2311V8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized

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MTP2311V8

Spec. No. C733M3 Issued Date 2013.09.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -60V ID -4A MTP2311M3 RDSON@VGS=-10V, ID=-4A 72m (typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3A 98m (typ.) Features Single Drive Requirement Ultra High Speed Switching Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outlin

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MTP2311V8

Spec. No. C733N3 Issued Date 2011.12.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 -60V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -60V MTP2311N3 ID -3.5A RDSON@VGS=-10V, ID=-2A 72m (typ) RDSON@VGS=-4.5V,ID=-1.7A 98m (typ) Features Low gate charge Compact and low profile SOT-23 package Advanced trench process technology High density cell

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MTP2311V8

Spec. No. C566N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2012.04.12 Revised Date 2014.01.14 Page No. 1/9 20V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20V MTP2317N3 ID -5.8A 28m (typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4.5A 35m (typ.) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-2.5A 51m (typ.) RDSON@VGS=-1.8V, ID=-2A Features Advanced trench process technology High density cell design f

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