Справочник MOSFET. MTP2311V8

 

MTP2311V8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTP2311V8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 49 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для MTP2311V8

 

 

MTP2311V8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  cystek
 mtp2311v8.pdf

MTP2311V8 MTP2311V8

Spec. No. : C733V8 Issued Date : 2013.06.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -60VMTP2311V8 ID -11ARDSON@VGS=10V, ID=-3A 63m(typ)RDSON@VGS=-4.5V, ID=-2A 78m(typ)Description The MTP2311V8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized

 7.1. Size:290K  cystek
 mtp2311m3.pdf

MTP2311V8 MTP2311V8

Spec. No. : C733M3 Issued Date : 2013.09.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -60VID -4AMTP2311M3 RDSON@VGS=-10V, ID=-4A 72m(typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3A 98m(typ.) Features Single Drive Requirement Ultra High Speed Switching Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outlin

 7.2. Size:307K  cystek
 mtp2311n3.pdf

MTP2311V8 MTP2311V8

Spec. No. : C733N3 Issued Date : 2011.12.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 -60V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -60VMTP2311N3 ID -3.5ARDSON@VGS=-10V, ID=-2A 72m(typ)RDSON@VGS=-4.5V,ID=-1.7A 98m(typ)Features Low gate charge Compact and low profile SOT-23 package Advanced trench process technology High density cell

 8.1. Size:316K  cystek
 mtp2317n3.pdf

MTP2311V8 MTP2311V8

Spec. No. : C566N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2012.04.12 Revised Date : 2014.01.14 Page No. : 1/9 20V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20VMTP2317N3 ID -5.8A28m(typ.)RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4.5A 35m(typ.)RDSON@VGS=-2.5V, ID=-2.5A 51m(typ.)RDSON@VGS=-1.8V, ID=-2A Features Advanced trench process technology High density cell design f

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AO4614A

 

 
Back to Top