MTP2317N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTP2317N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 159 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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MTP2317N3 Datasheet (PDF)

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mtp2317n3.pdf

Spec. No. : C566N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2012.04.12 Revised Date : 2014.01.14 Page No. : 1/9 20V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20VMTP2317N3 ID -5.8A28m(typ.)RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4.5A 35m(typ.)RDSON@VGS=-2.5V, ID=-2.5A 51m(typ.)RDSON@VGS=-1.8V, ID=-2A Features Advanced trench process technology High density cell design f

8.1. Size:290K cystek
mtp2311m3.pdf

Spec. No. : C733M3 Issued Date : 2013.09.18 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -60VID -4AMTP2311M3 RDSON@VGS=-10V, ID=-4A 72m(typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-3A 98m(typ.) Features Single Drive Requirement Ultra High Speed Switching Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outlin

8.2. Size:324K cystek
mtp2311v8.pdf

Spec. No. : C733V8 Issued Date : 2013.06.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -60VMTP2311V8 ID -11ARDSON@VGS=10V, ID=-3A 63m(typ)RDSON@VGS=-4.5V, ID=-2A 78m(typ)Description The MTP2311V8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized

8.3. Size:307K cystek
mtp2311n3.pdf

Spec. No. : C733N3 Issued Date : 2011.12.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 -60V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -60VMTP2311N3 ID -3.5ARDSON@VGS=-10V, ID=-2A 72m(typ)RDSON@VGS=-4.5V,ID=-1.7A 98m(typ)Features Low gate charge Compact and low profile SOT-23 package Advanced trench process technology High density cell

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: