MTP2402Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTP2402Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 159 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

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MTP2402Q8 Datasheet (PDF)

..1. Size:302K cystek
mtp2402q8.pdf

Spec. No. : C566Q8 Issued Date : 2012.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20VMTP2402Q8 ID -8.3ARDSON@VGS=-10V, ID=-7A 22m(typ)RDSON@VGS=-4.5V,ID=-4.5A 27m(typ)RDSON@VGS=-2.5V,ID=-2A 35m(typ)Description The MTP2402Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best

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Liste

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