MTP2402Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP2402Q8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 159 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
- Selección de transistores por parámetros
MTP2402Q8 Datasheet (PDF)
mtp2402q8.pdf

Spec. No. : C566Q8 Issued Date : 2012.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20VMTP2402Q8 ID -8.3ARDSON@VGS=-10V, ID=-7A 22m(typ)RDSON@VGS=-4.5V,ID=-4.5A 27m(typ)RDSON@VGS=-2.5V,ID=-2A 35m(typ)Description The MTP2402Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: APL602B2G | SSF11NS70UF | RUQ050N02TR | SI4368DY | PJF3NA80 | IPP50R280CE | SWK15N04V
History: APL602B2G | SSF11NS70UF | RUQ050N02TR | SI4368DY | PJF3NA80 | IPP50R280CE | SWK15N04V



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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