MTP2402Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP2402Q8
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 159 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MTP2402Q8 MOSFET
MTP2402Q8 Datasheet (PDF)
mtp2402q8.pdf
Spec. No. : C566Q8 Issued Date : 2012.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20VMTP2402Q8 ID -8.3ARDSON@VGS=-10V, ID=-7A 22m(typ)RDSON@VGS=-4.5V,ID=-4.5A 27m(typ)RDSON@VGS=-2.5V,ID=-2A 35m(typ)Description The MTP2402Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best
jmtp240c03d.pdf
JMTP240C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel: 30V, 9A Battery Protection R
jmtp240n03d.pdf
JMTP240N03DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 9A Load SwitchRDS(ON)
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History: IXTH20N60 | UTT120N06
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