MTP2402Q8 Todos los transistores

 

MTP2402Q8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP2402Q8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 159 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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MTP2402Q8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  cystek
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MTP2402Q8

Spec. No. : C566Q8 Issued Date : 2012.06.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20VMTP2402Q8 ID -8.3ARDSON@VGS=-10V, ID=-7A 22m(typ)RDSON@VGS=-4.5V,ID=-4.5A 27m(typ)RDSON@VGS=-2.5V,ID=-2A 35m(typ)Description The MTP2402Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best

 8.1. Size:660K  jiejie micro
 jmtp240c03d.pdf pdf_icon

MTP2402Q8

JMTP240C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel: 30V, 9A Battery Protection R

 8.2. Size:733K  jiejie micro
 jmtp240n03d.pdf pdf_icon

MTP2402Q8

JMTP240N03DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 9A Load SwitchRDS(ON)

Otros transistores... MTP2301N3 , MTP2301S3 , MTP2303N3 , MTP2305N3 , MTP2311M3 , MTP2311N3 , MTP2311V8 , MTP2317N3 , IRFP460 , MTP2603G6 , MTP2603N6 , MTP2603Q6 , MTP2611V8 , MTP2955L3 , MTP3001N3 , MTP3401N3 , MTP3403AN3 .

History: FS50SM-3 | DAC016N120Z2 | P1350ETF

 

 
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