MTP2402Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP2402Q8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 159 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для MTP2402Q8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP2402Q8 даташит

 ..1. Size:302K  cystek
 mtp2402q8.pdf pdf_icon

MTP2402Q8

Spec. No. C566Q8 Issued Date 2012.06.12 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20V MTP2402Q8 ID -8.3A RDSON@VGS=-10V, ID=-7A 22m (typ) RDSON@VGS=-4.5V,ID=-4.5A 27m (typ) RDSON@VGS=-2.5V,ID=-2A 35m (typ) Description The MTP2402Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best

 8.1. Size:660K  jiejie micro
 jmtp240c03d.pdf pdf_icon

MTP2402Q8

JMTP240C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 9A Battery Protection R

 8.2. Size:733K  jiejie micro
 jmtp240n03d.pdf pdf_icon

MTP2402Q8

JMTP240N03D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 9A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... MTP2301N3, MTP2301S3, MTP2303N3, MTP2305N3, MTP2311M3, MTP2311N3, MTP2311V8, MTP2317N3, IRFP460, MTP2603G6, MTP2603N6, MTP2603Q6, MTP2611V8, MTP2955L3, MTP3001N3, MTP3401N3, MTP3403AN3