MTP2603G6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTP2603G6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

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MTP2603G6 Datasheet (PDF)

..1. Size:347K cystek
mtp2603g6.pdf

Spec. No. : C394G6 Issued Date : 2006.11.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.11.21 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20VID -5AMTP2603G6 RDSON@VGS=-10V, ID=-4.5A 35m(typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4.2A 41m(typ.) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-2A 55m(typ.) RDSON@VGS=-1.8V, ID=-1A 60m(typ.) Description The MTP2603G6 is a P-channel enhancemen

7.1. Size:378K cystek
mtp2603q6.pdf

Spec. No. : C394Q6 Issued Date : 2006.11.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/5 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTP2603Q6 Description The MTP2603Q6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TSOP-6 package is u

7.2. Size:397K cystek
mtp2603n6.pdf

Spec. No. : C394N6 Issued Date : 2007.12.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.31 Page No. : 1/7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTP2603N6 Description The MTP2603N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOT-26 pac

9.1. Size:322K cystek
mtp2611v8.pdf

Spec. No. : C913V8 Issued Date : 2013.07.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.30 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20VMTP2611V8 ID -45ARDSON@VGS=-4.5V, ID=-15.3A 8.8m(typ) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-13.1A 12.8m(typ)Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating and hal

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Liste

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