Справочник MOSFET. MTP2603G6

 

MTP2603G6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTP2603G6
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для MTP2603G6

 

 

MTP2603G6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:347K  cystek
 mtp2603g6.pdf

MTP2603G6 MTP2603G6

Spec. No. : C394G6 Issued Date : 2006.11.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2012.11.21 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20VID -5AMTP2603G6 RDSON@VGS=-10V, ID=-4.5A 35m(typ.) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4.2A 41m(typ.) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-2A 55m(typ.) RDSON@VGS=-1.8V, ID=-1A 60m(typ.) Description The MTP2603G6 is a P-channel enhancemen

 7.1. Size:378K  cystek
 mtp2603q6.pdf

MTP2603G6 MTP2603G6

Spec. No. : C394Q6 Issued Date : 2006.11.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/5 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTP2603Q6 Description The MTP2603Q6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The TSOP-6 package is u

 7.2. Size:397K  cystek
 mtp2603n6.pdf

MTP2603G6 MTP2603G6

Spec. No. : C394N6 Issued Date : 2007.12.28 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.10.31 Page No. : 1/7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTP2603N6 Description The MTP2603N6 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOT-26 pac

 9.1. Size:322K  cystek
 mtp2611v8.pdf

MTP2603G6 MTP2603G6

Spec. No. : C913V8 Issued Date : 2013.07.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.10.30 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -20VMTP2611V8 ID -45ARDSON@VGS=-4.5V, ID=-15.3A 8.8m(typ) RDSON@VGS=-2.5V, ID=-13.1A 12.8m(typ)Features Simple drive requirement Low on-resistance Fast switching speed Pb-free lead plating and hal

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SWD055R03VT | SWD3N80D | STF110N10F7 | SFG280N08KF

 

 
Back to Top