MTP3403KN3 Todos los transistores

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MTP3403KN3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP3403KN3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 16 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 86 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.063 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-23

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MTP3403KN3 Datasheet (PDF)

1.1. mtp3403kn3.pdf Size:300K _cystek

MTP3403KN3
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Spec. No. : C865N3 Issued Date : 2012.08.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/8 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30V MTP3403KN3 ID -3.3A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-2.5A 63mΩ(typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-1.35A 100mΩ(typ) RDS(ON)@VGS=-4V, ID=-1.35A 114mΩ(typ) Features • Advanced trench process technology • High density cell design for ultra low

3.1. mtp3403n3.pdf Size:340K _cystek

MTP3403KN3
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Spec. No. : C422N3 Issued Date : 2007.10.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2013.10.24 Page No. : 1/8 P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30V MTP3403N3 ID -3.7A RDSON@VGS=-10V, ID=-3A 52mΩ(typ) RDSON@VGS=-4.5V,ID=-2.6A 76mΩ(typ) Features • Low gate charge • Compact and low profile SOT-23 package • Advanced trench process technology • High densit

3.2. mtp3403an3.pdf Size:392K _cystek

MTP3403KN3
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Spec. No. : C387N3 Issued Date : 2007.06.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2011.11.29 Page No. : 1/7 P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP3403AN3 Features • V =-30V DS Ω@V =-4.5V, I =-2A R =85m GS DS DS(ON) Ω@V =-2.5V, I =-1A R =120m GS DS DS(ON) • Advanced trench process technology • High density cell design for ultra low on resistance • Low

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