MTP3403KN3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP3403KN3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MTP3403KN3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP3403KN3 даташит

 ..1. Size:300K  cystek
 mtp3403kn3.pdf pdf_icon

MTP3403KN3

Spec. No. C865N3 Issued Date 2012.08.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30V MTP3403KN3 ID -3.3A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-2.5A 63m (typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-1.35A 100m (typ) RDS(ON)@VGS=-4V, ID=-1.35A 114m (typ) Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low

 7.1. Size:340K  cystek
 mtp3403n3.pdf pdf_icon

MTP3403KN3

Spec. No. C422N3 Issued Date 2007.10.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.24 Page No. 1/8 P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30V MTP3403N3 ID -3.7A RDSON@VGS=-10V, ID=-3A 52m (typ) RDSON@VGS=-4.5V,ID=-2.6A 76m (typ) Features Low gate charge Compact and low profile SOT-23 package Advanced trench process technology High densit

 7.2. Size:392K  cystek
 mtp3403an3.pdf pdf_icon

MTP3403KN3

Spec. No. C387N3 Issued Date 2007.06.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.11.29 Page No. 1/7 P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP3403AN3 Features V =-30V DS @V =-4.5V, I =-2A R =85m GS DS DS(ON) @V =-2.5V, I =-1A R =120m GS DS DS(ON) Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on resistance Low

 8.1. Size:421K  cystek
 mtp3401n3.pdf pdf_icon

MTP3403KN3

Spec. No. C388N3 Issued Date 2007.06.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2017.06.19 Page No. 1/9 P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30V MTP3401N3 ID@VGS=-10V, TA=25 C -4.2A RDS(ON)@VGS=-10V, ID=-4.2A 46m (typ) RDS(ON)@VGS=-4.5V, ID=-4A 51m (typ) RDS(ON)@VGS=-2.5V, ID=-1A 59m (typ) Features Advanced trench process technology High density c

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTP2603G6, MTP2603N6, MTP2603Q6, MTP2611V8, MTP2955L3, MTP3001N3, MTP3401N3, MTP3403AN3, IRFB4227, MTP3403N3, MTP3413N3, MTP3415KN3, MTP3J15N3, MTP3J15Y3, MTP3LP01N3, MTP3LP01S3, MTP3LP01Y3