MTP3J15N3 Todos los transistores

 

MTP3J15N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP3J15N3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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MTP3J15N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  cystek
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MTP3J15N3

Spec. No. : C465N3 Issued Date : 2009.03.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.05.18 Page No. : 1/ 8 50V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -50VMTP3J15N3 ID -130mARDSON@VGS=-10V, ID=-100mA 4.5(typ) RDSON@VGS=-5V, ID=-100mA 6(typ) Features Low gate charge Excellent thermal and electrical capabilities Pb-free package Equivalent Circuit

 7.1. Size:335K  cystek
 mtp3j15y3.pdf pdf_icon

MTP3J15N3

Spec. No. : C465Y3 Issued Date : 2012.04.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.05.19 Page No. : 1/ 8 50V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -50VMTP3J15Y3 ID -130mA 8 (MAX) RDSON@-10V 10 (MAX) RDSON@-5V 12 (MAX) RDSON@-4V Features 32 (MAX) RDSON@-2.5V Low gate charge Excellent thermal and electrical capabilities Pb

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History: 2SJ256 | IRF7832PBF-1 | FQA24N50F109 | STD5NK52ZD-1 | IRFU3806PBF | CS4N100F | HFP6N60U

 

 
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