MTP3J15N3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP3J15N3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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MTP3J15N3 datasheet

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MTP3J15N3

Spec. No. C465N3 Issued Date 2009.03.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.05.18 Page No. 1/ 8 50V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -50V MTP3J15N3 ID -130mA RDSON@VGS=-10V, ID=-100mA 4.5 (typ) RDSON@VGS=-5V, ID=-100mA 6 (typ) Features Low gate charge Excellent thermal and electrical capabilities Pb-free package Equivalent Circuit

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MTP3J15N3

Spec. No. C465Y3 Issued Date 2012.04.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.05.19 Page No. 1/ 8 50V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -50V MTP3J15Y3 ID -130mA 8 (MAX) RDSON@-10V 10 (MAX) RDSON@-5V 12 (MAX) RDSON@-4V Features 32 (MAX) RDSON@-2.5V Low gate charge Excellent thermal and electrical capabilities Pb

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